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在半導體制造的精密世界里，硅片膜層厚度的微小偏差都可能導致器件性能衰減甚至失效。傳統接觸式測量方法因易劃傷晶圓表面、無法實時監測等問題，逐漸被非接觸式技術取代。近紅外光（NIR）憑借其特殊的物理特性，成為硅片厚度測量儀的核心光源，為芯片制造...
隔振臺采用了剛性彈簧和負剛度機制，達到極低凈垂向剛度，而凈符合支持能力則未受到絲毫影響。水平振動阻隔效果由梁柱與垂直運動隔離器串聯實現。只要調整至1/2Hz固定頻率，該工作站就能實現2Hz下93%的阻隔效率，5Hz下99%的阻隔效率和10Hz下99.7%的阻隔效率。MinusK垂直隔離器，附帶KineticSystem動力系統，更為您帶來更好的使用體驗和額外的底架空間。隔振臺主要優勢：1、小的厚度，輕的質量；2、大大提高設備性能及質量；3、易于集成到工作站中；4、沒有調試要求...
光刻技術實際上是一種精密表面加工技術，它借助于一定波長的激光光源以及選擇性的化學腐蝕和刻蝕技術把設計的微納圖案轉移到硅基板上。但是隨著集成電路功能和密度的提升傳統的光刻技術已經難以滿足當前對線寬越來越小的需求。但是打破衍射極限的大型光刻設備又極其昂貴。為了擺脫光學衍射極限和克服高成本的限制，一種操作簡單，成本低廉的納米壓印技術產生了。納米壓印的技術核心是充分利用機械能將剛性模板上的圖案轉到抗蝕劑上，之后再借助溶脫、剝離、刻蝕等將圖案轉移到基板上。到目前為止壓印技術已經發展出來...
白光干涉儀目前在3D檢測領域是精度高的測量儀器之一，在同等系統放大倍率下檢測精度和重復精度都高于共聚焦顯微鏡和聚焦成像顯微鏡，在一些納米級和亞納米級的超精密加工領域，除了白光干涉儀，其它的儀器無法達到其測量精度要求。儀器的測量原理：本儀器是利用光學干涉原理研制開發的超精密表面輪廓測量儀器。照明光束經半反半透分光鏡分威兩束光，分別投射到樣品表面和參考鏡表面。從兩個表面反射的兩束光再次通過分光鏡后合成一束光，并由成像系統在CCD相機感光面形成兩個疊加的像。由于兩束光相互干涉，在C...
接觸式光刻機是一種用于信息科學與系統科學、能源科學技術、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，于2016年7月12日啟用。接觸式光刻機的使用原理：其實在我國對于接觸式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經達到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5gm左右。該設備的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個由手動控制的臺子上，臺子...
電容位移傳感器的原理是利用力學變化使電容器中其中的一個參數發生變化的方法實現信號的變化的。該傳感器由目標和探針兩個傳感板組成電容器。當電容器之間的距離發生改變時，電容器的電容量就會發生改變，使用適當的控制器就會測出兩個傳感板距離的變化。測量原理特性：采用電容式測量原理，需要潔凈和干燥的環境，否則傳感器探頭和被測物體之間的物質介電常數的變化會影響測量結果。我們也推薦任何時候，都盡量縮短探頭到控制器之間的電纜長度。對于標準設備，配備前置放大器，電纜長度設定為1m。如果配備外置放大...